Nitride Global décroche un contrat AFWERX de 1,25 M$ pour un substrat avancé de l’électronique de puissance

Nitride Global, Inc. (NGI), leader mondial des matériaux en nitrure d’aluminium (Aluminum Nitride) à bande interdite ultra-large (ultrawide bandgap) et des technologies avancées de packaging pour la gestion thermique, annonce avoir été sélectionnée par AFWERX pour un contrat Direct-to-Phase II d’un montant de $1,249,844, centré sur sa plateforme révolutionnaire de substrats multicouches en oxyazoture d’aluminium (aluminum oxynitride, AlON)/cuivre (Cu). Cette technologie de rupture unifie les fonctions d’alimentation, de commande, de signal et les fonctions passives au sein d’un seul package, robuste sur le plan thermique, afin de relever les défis les plus pressants du Department of the Air Force (DAF).

L’Air Force Research Laboratory et AFWERX se sont associés pour rationaliser le processus Small Business Innovation Research (SBIR) et Small Business Technology Transfer (STTR) en améliorant l’expérience des petites entreprises grâce à des délais plus courts entre la soumission des propositions et l’attribution, en modifiant le vivier de candidats potentiels par l’élargissement des opportunités aux petites entreprises, et en éliminant la charge bureaucratique via la mise en œuvre continue d’améliorations de processus dans l’exécution des contrats. Le DAF a commencé à proposer le programme Open Topic SBIR/STTR en 2018, ce qui a élargi l’éventail des innovations financées par le DAF, et le 18 septembre 2025, Nitride Global entamera son parcours visant à créer et fournir des capacités innovantes qui renforceront la défense nationale des États-Unis d’Amérique.

Cette attribution accélérera le développement de la plateforme brevetée de substrats multicouches en oxyazoture d’aluminium (AlON) de Nitride Global afin d’offrir un ensemble entièrement nouveau de capacités dans des domaines tels que les communications RF de forte puissance, les lasers et systèmes à énergie dirigée (directed energy systems), les systèmes de guidage quantique, entre autres. En outre, la commercialisation nationale de cette technologie renforcera le Department of Defense et positionnera les États-Unis comme leader mondial dans le domaine du packaging avancé des semi-conducteurs.

Les systèmes modernes de défense et d’aérospatiale s’appuient sur une électronique de puissance de plus en plus complexe, capable de fonctionner dans des environnements extrêmes. Or, l’approche fragmentée actuelle — où les commutateurs, drivers, la logique de commande et les composants magnétiques sont répartis sur plusieurs cartes — crée des inefficacités, augmente les pertes parasites et limite la fiabilité. L’architecture intégrée de substrat AlON/Cu de NGI supprime ces obstacles en permettant la co-localisation directe de dispositifs de puissance à large bande interdite (wide-bandgap), d’amplificateurs RF et d’éléments photoniques sur un seul substrat.

« Cette attribution valide le potentiel transformateur de notre technologie AlON pour remodeler l’électronique de puissance, tant pour les systèmes de défense que commerciaux », a déclaré le CEO. « Notre plateforme ouvre la voie à des systèmes plus petits, plus légers et plus résilients sur le plan thermique, permettant une nouvelle génération de solutions capables de fonctionner là où les packagings conventionnels échouent. »

Dans le cadre de l’effort de Phase II, Nitride Global améliorera la répétabilité de la fabrication, validera les performances en haute fréquence, haute tension et en environnements sévères, et intégrera des substrats AlON/Cu dans des systèmes représentatifs de l’Air Force pour des essais pertinents sur le terrain. Le programme fera progresser la technologie depuis son Technology Readiness Level et démontrera sa préparation à un déploiement critique pour la mission.

La plateforme AlON soutient directement plusieurs Critical Technology Areas (CTAs) du Office of the Under Secretary of Defense for Research and Engineering (OUSD(R&E)), notamment Advanced Materials, Microelectronics, Directed Energy, ainsi que Integrated Sensing and Cyber. Sa conductivité thermique élevée, sa rigidité diélectrique et son intégrité structurelle à haute température en font une solution idéalement adaptée à l’intégration, de nouvelle génération, de la puissance et des signaux sous des contraintes thermiques, électriques et mécaniques extrêmes.

Au-delà de la défense, la technologie de NGI présente un fort potentiel à double usage (dual-use) dans des marchés commerciaux tels que les véhicules électriques, les lasers de forte puissance, les communications RF, l’alimentation des datacenters et la modernisation des réseaux électriques, ainsi que l’informatique IA/quantique, où la forte densité de puissance et la miniaturisation sont essentielles.

Nitride Global fait partie des quatre seules entreprises au monde — et demeure la dernière entité détenue au niveau national — capable de faire croître des cristaux de nitrure d’aluminium à bande interdite ultra-large. Le système de matériaux AlON breveté de l’entreprise et sa technologie de dépôt propriétaire représentent une solution contrôlée par les États-Unis, conforme aux exigences d’exportation (export-compliant) pour le packaging avancé de la microélectronique, contribuant à restaurer le leadership national dans un domaine qui s’est largement délocalisé.

Fondée en 2021, Nitride Global est une entreprise innovante en matériaux avancés, spécialisée dans les matériaux à bande interdite ultra-large, avec ses boules (boules) de nitrure d’aluminium d’ultra-haute pureté, et des solutions de packaging avancé grâce à sa technologie révolutionnaire et brevetée d’oxyazoture d’aluminium.