Nitride Global erhält AFWERX-Vertrag über 1,25 Mio. US-Dollar für fortschrittliches Substrat in der Leistungselektronik

Nitride Global, Inc. (NGI), ein weltweit führendes Unternehmen für Ultrawide-Bandgap-Aluminiumnitrid-Materialien und Advanced-Packaging-Technologien für das Thermomanagement, gibt bekannt, dass es von AFWERX für einen Direct-to-Phase II-Vertrag in Höhe von 1.249.844 US-Dollar ausgewählt wurde. Im Mittelpunkt steht die revolutionäre, mehrlagige Substratplattform aus Aluminiumoxynitrid (AlON)/Kupfer (Cu). Diese bahnbrechende Technologie vereint Leistungs-, Steuerungs-, Signal- und Passivfunktionen in einem einzigen, thermisch robusten Package, um die drängendsten Herausforderungen im Department of the Air Force (DAF) zu adressieren.

Das Air Force Research Laboratory und AFWERX haben sich zusammengeschlossen, um den Small Business Innovation Research (SBIR)- und Small Business Technology Transfer (STTR)-Prozess zu verschlanken: durch schnellere Zeitabläufe von der Antragstellung bis zur Vergabe, durch eine Veränderung des Kreises potenzieller Antragsteller mittels erweiterter Chancen für kleine Unternehmen sowie durch den Abbau bürokratischen Aufwands, indem fortlaufend Verbesserungen in der Vertragsabwicklung umgesetzt werden. Das DAF begann 2018 mit dem Open-Topic-SBIR/STTR-Programm, wodurch sich das Spektrum der vom DAF geförderten Innovationen erweiterte; und nun wird Nitride Global am 18. September 2025 seine Arbeit aufnehmen, um innovative Fähigkeiten zu entwickeln und bereitzustellen, die die nationale Verteidigung der Vereinigten Staaten von Amerika stärken.

Die Förderung wird die Entwicklung von Nitride Globals patentierter, mehrlagiger Aluminiumoxynitrid-(AlON)-Substratplattform beschleunigen, um ein völlig neues Spektrum an Fähigkeiten in Bereichen wie Hochleistungs-HF-Kommunikation, Laser- und Directed-Energy-Systemen sowie Quanten-Leitsystemen und weiteren Anwendungen zu ermöglichen. Darüber hinaus wird die inländische Kommerzialisierung dieser Technologie das Department of Defense stärken und die Vereinigten Staaten als globalen Spitzenreiter im Bereich des Semiconductor Advanced Packaging positionieren.

Moderne Verteidigungs- und Luftfahrtsysteme stützen sich auf zunehmend komplexe Leistungselektronik, die in extremen Umgebungen betrieben werden kann. Der heutige fragmentierte Ansatz – bei dem Schalter, Treiber, Steuerlogik und magnetische Komponenten auf mehrere Leiterplatten verteilt sind – führt jedoch zu Ineffizienzen, erhöht parasitäre Verluste und begrenzt die Zuverlässigkeit. Die integrierte AlON/Cu-Substratarchitektur von NGI beseitigt diese Hürden, indem sie die direkte Ko-Positionierung von Wide-Bandgap-Leistungsbauelementen, HF-Verstärkern und photonischen Elementen auf einem einzigen Substrat ermöglicht.

„Diese Auszeichnung bestätigt das transformative Potenzial unserer AlON-Technologie, die Leistungselektronik sowohl für Verteidigungs- als auch für kommerzielle Systeme grundlegend neu zu gestalten“, sagte der CEO. „Unsere Plattform eröffnet einen Weg zu kleineren, leichteren und thermisch widerstandsfähigeren Systemen und ermöglicht eine neue Generation von Lösungen, die dort bestehen können, wo konventionelles Packaging versagt.“

Im Rahmen der Phase-II-Arbeiten wird Nitride Global die Reproduzierbarkeit der Fertigung weiterentwickeln, die Leistungsfähigkeit bei Hochfrequenz, Hochspannung und in rauen Umgebungen validieren sowie AlON/Cu-Substrate in repräsentative Air-Force-Systeme integrieren, um feldrelevante Tests durchzuführen. Das Programm wird die Technologie vom Technology Readiness Level anheben und ihre Einsatzreife für missionskritische Anwendungen demonstrieren.

Die AlON-Plattform unterstützt direkt mehrere Critical Technology Areas (CTAs) des Office of the Under Secretary of Defense for Research and Engineering (OUSD(R&E)), darunter Advanced Materials, Microelectronics, Directed Energy sowie Integrated Sensing and Cyber. Ihre hohe Wärmeleitfähigkeit, dielektrische Festigkeit und strukturelle Integrität bei erhöhten Temperaturen machen sie ideal für die nächste Generation der Leistungs- und Signalintegration unter extremen thermischen, elektrischen und mechanischen Belastungen.

Über den Verteidigungsbereich hinaus besitzt die Technologie von NGI ein hohes Dual-Use-Potenzial in kommerziellen Märkten wie Elektrofahrzeugen, Hochleistungslasern, HF-Kommunikation, Datacenter-Power und Grid-Modernisierung sowie AI/Quantum Computing, in denen hohe Leistungsdichte und Miniaturisierung entscheidend sind.

Nitride Global ist eines von nur vier Unternehmen weltweit – und die letzte verbleibende inländisch im Besitz befindliche Einheit –, die Ultrawide-Bandgap-Aluminiumnitrid-Kristallzüchtung beherrschen. Das patentierte AlON-Materialsystem des Unternehmens und seine proprietäre Abscheidungstechnologie stellen eine von den USA kontrollierte, exportkonforme Lösung für Advanced Microelectronics Packaging dar und tragen dazu bei, die inländische Führungsrolle in einem Feld wiederherzustellen, das sich weitgehend ins Ausland verlagert hat.

Nitride Global wurde 2021 gegründet und ist ein Innovator im Bereich fortschrittlicher Materialien, spezialisiert auf Ultrawide-Bandgap-Materialien mit seinen ultrahochreinen Aluminiumnitrid-Boules sowie auf Advanced-Packaging-Lösungen mit seiner revolutionären und patentierten Aluminiumoxynitrid-Technologie.