Nitride Global 获得 125万美元 AFWERX 合同，推进先进功率电子衬底

Nitride Global, Inc.（NGI）是超宽禁带氮化铝（Aluminum Nitride）材料与热管理先进封装技术领域的全球领导者。公司宣布已被 AFWERX 选中，获得金额为 1,249,844 美元的 Direct-to-Phase II 合同，聚焦其革命性的多层氧氮化铝（aluminum oxynitride，AlON）/铜（Cu）衬底平台。这项突破性技术可将功率、控制、信号及无源功能统一集成于单一且具备强大热稳健性的封装中，以应对美国空军部（Department of the Air Force，DAF）当前最紧迫的挑战。

空军研究实验室（Air Force Research Laboratory）与 AFWERX 已开展合作，通过加快从提案到授予的时间线来提升小企业体验，从而简化小企业创新研究（Small Business Innovation Research，SBIR）和小企业技术转移（Small Business Technology Transfer，STTR）流程；同时通过扩大对小企业的机会来改变潜在申请者群体，并在合同执行中持续实施流程改进以消除官僚性开销。DAF 于 2018 年开始推出 Open Topic SBIR/STTR 项目，扩大了 DAF 资助的创新范围。如今在 2025 年 9 月 18 日，Nitride Global 将开启其征程，创造并提供创新能力，以增强美利坚合众国的国家防务。

该项资助将加速 Nitride Global 获专利保护的多层氧氮化铝（AlON）衬底平台的开发，为高功率射频（RF）通信、激光与定向能系统、量子制导系统等领域带来一整套全新能力。此外，在美国本土实现该技术商业化将增强国防部能力，并推动美国在半导体先进封装领域确立全球领导地位。

现代国防与航空航天系统依赖于愈发复杂、且可在极端环境中工作的功率电子技术。然而，当今碎片化的方案——将开关器件、驱动器、控制逻辑与磁性器件分散在多块电路板上——会造成效率低下、寄生损耗增加，并限制可靠性。NGI 的 AlON/Cu 一体化衬底架构通过在单一衬底上实现宽禁带功率器件、RF 放大器与光子元件的直接共址，消除了这些障碍。

“这项资助验证了我们 AlON 技术具备变革性潜力，能够重塑国防与商业系统的功率电子形态。”该公司 CEO 表示，“我们的平台为更小型、更轻量且更具热韧性的系统提供了一条可行路径，使新一代解决方案能够在传统封装失效的场景中仍然稳定运行。”

在 Phase II 工作中，Nitride Global 将提升制造重复性，验证高频、高电压及严苛环境下的性能，并把 AlON/Cu 衬底集成到具有代表性的空军系统中开展贴近实战需求的测试。该项目将把技术从技术成熟度等级（Technology Readiness Level）提升，并展示其满足关键任务部署的就绪度。

AlON 平台直接支持国防部研究与工程副部长办公室（Office of the Under Secretary of Defense for Research and Engineering，OUSD(R&E)）多项关键技术领域（Critical Technology Areas，CTAs），包括先进材料、微电子、定向能以及集成感知与网络。其高导热性、高介电强度以及在高温下的结构完整性，使其非常适合在极端热、电与机械应力条件下实现下一代功率与信号的一体化集成。

除国防用途外，NGI 的技术在商用市场也具备强大的军民两用潜力，应用方向包括电动汽车、高功率激光、RF 通信、数据中心供电与电网现代化，以及 AI/量子计算等——这些领域对高功率密度与小型化有着关键需求。

Nitride Global 是全球仅有的 4 家、且仍由本土所有的最后一家，具备超宽禁带氮化铝晶体生长能力的公司。公司的专利 AlON 材料体系与专有沉积技术构成了受美国管控、符合出口合规要求的先进微电子封装解决方案，有助于恢复在很大程度上已转移至海外的领域中的本土领导地位。

Nitride Global 成立于 2021 年，是一家先进材料创新企业，专注于超宽禁带材料（其产品包括超高纯氮化铝晶锭），以及基于其革命性且获得专利保护的氧氮化铝技术的先进封装解决方案。