Nitride Global recibe un contrato de $1,25 millones de AFWERX para un sustrato avanzado de electrónica de potencia

Nitride Global, Inc. (NGI), líder mundial en materiales de nitruro de aluminio de banda prohibida ultraancha y en tecnologías avanzadas de empaquetado para gestión térmica, anuncia que ha sido seleccionada por AFWERX para un contrato Direct-to-Phase II por un importe de $1,249,844, centrado en su revolucionaria plataforma de sustrato multicapa de oxinitruro de aluminio (AlON)/cobre (Cu). Esta tecnología disruptiva unifica funciones de potencia, control, señal y pasivas dentro de un único paquete térmicamente robusto, para abordar los desafíos más apremiantes del Department of the Air Force (DAF).

The Air Force Research Laboratory y AFWERX se han asociado para agilizar el proceso de Small Business Innovation Research (SBIR) y Small Business Technology Transfer (STTR) mediante la aceleración de la experiencia de las pequeñas empresas con plazos más rápidos desde la propuesta hasta la adjudicación, modificando el grupo de posibles solicitantes al ampliar las oportunidades para pequeñas empresas y eliminando la carga burocrática mediante la implementación continua de mejoras de proceso en la ejecución contractual. El DAF comenzó a ofrecer el programa Open Topic SBIR/STTR en 2018, lo que amplió el abanico de innovaciones financiadas por el DAF, y ahora, el 18 de septiembre de 2025, Nitride Global iniciará su recorrido para crear y proporcionar capacidades innovadoras que fortalezcan la defensa nacional de los Estados Unidos de América.

La adjudicación acelerará el desarrollo de la plataforma patentada de sustrato multicapa de oxinitruro de aluminio (AlON) de Nitride Global para proporcionar un conjunto totalmente nuevo de capacidades en áreas como comunicaciones RF de alta potencia, sistemas láser y de energía dirigida, y sistemas de guiado cuántico, entre otras. Además, la comercialización nacional de esta tecnología fortalecerá al Department of Defense y posicionará a los Estados Unidos como líder mundial en el ámbito del empaquetado avanzado de semiconductores.

Los sistemas modernos de defensa y aeroespaciales dependen de una electrónica de potencia cada vez más compleja, capaz de operar en entornos extremos. Sin embargo, el enfoque fragmentado actual—en el que interruptores, controladores, lógica de control y componentes magnéticos se distribuyen en múltiples placas—genera ineficiencias, aumenta las pérdidas parásitas y limita la fiabilidad. La arquitectura integrada de sustrato AlON/Cu de NGI elimina estas barreras al permitir la colocación conjunta directa de dispositivos de potencia de banda prohibida ancha, amplificadores RF y elementos fotónicos en un único sustrato.

"Este premio valida el potencial transformador de nuestra tecnología AlON para redefinir la electrónica de potencia tanto en sistemas de defensa como comerciales", afirmó el CEO. "Nuestra plataforma ofrece una vía hacia sistemas más pequeños, ligeros y con mayor resiliencia térmica, que permiten una nueva generación de soluciones capaces de prosperar allí donde el empaquetado convencional falla".

En el marco del esfuerzo de Phase II, Nitride Global mejorará la repetibilidad de la fabricación, validará el rendimiento en alta frecuencia, alto voltaje y entornos hostiles, e integrará sustratos AlON/Cu en sistemas representativos de la Fuerza Aérea para pruebas relevantes en campo. El programa elevará la tecnología desde el Technology Readiness Level y demostrará su preparación para un despliegue de misión crítica.

La plataforma AlON respalda directamente múltiples Critical Technology Areas (CTAs) de la Office of the Under Secretary of Defense for Research and Engineering (OUSD(R&E)), incluidas Advanced Materials, Microelectronics, Directed Energy, e Integrated Sensing and Cyber. Su alta conductividad térmica, rigidez dieléctrica e integridad estructural a temperaturas elevadas la hacen ideal para la integración de potencia y señal de próxima generación bajo factores de estrés térmicos, eléctricos y mecánicos extremos.

Más allá de la defensa, la tecnología de NGI presenta un sólido potencial de doble uso en mercados comerciales como vehículos eléctricos, láseres de alta potencia, comunicaciones RF, alimentación eléctrica para centros de datos y modernización de la red, y computación de IA/cuántica, donde la alta densidad de potencia y la miniaturización son críticas.

Nitride Global es una de solo cuatro empresas a nivel mundial—y la última entidad de propiedad nacional que permanece—capaz de crecer cristales de nitruro de aluminio de banda prohibida ultraancha. El sistema de materiales AlON patentado por la empresa y su tecnología de deposición propietaria representan una solución controlada por EE. UU. y conforme a la normativa de exportación para el empaquetado avanzado de microelectrónica, ayudando a restablecer el liderazgo nacional en un campo que en gran medida se ha desplazado al extranjero.

Fundada en 2021, Nitride Global es una innovadora en materiales avanzados especializada en materiales de banda prohibida ultraancha con sus lingotes (boules) de nitruro de aluminio de ultraalta pureza, y en soluciones de empaquetado avanzado con su revolucionaria y patentada tecnología de oxinitruro de aluminio.